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原子層沉積(ALD)工藝用臭氧發(fā)生器推薦

來源:www.jiujinzhao.com 發(fā)布時間:2025-05-08 16:54:39 瀏覽次數(shù):

原子層沉積(ALD)工藝用臭氧發(fā)生器推薦


在原子層沉積(ALD)工藝中,臭氧作為關鍵工藝氣體,直接影響薄膜沉積的質量與效率。如何選擇高性能臭氧發(fā)生器?北京同林科技為您解析三款產(chǎn)品?!?/p>

第一款是Apex H32高濃度臭氧發(fā)生器,臭氧濃度可超200毫克每升,觸屏操作,智能控溫耐高壓,非常適合ALD企業(yè)、半導體行業(yè)、高濃度臭氧需求的科研實驗使用。

第二款是,Micro 16,緊湊型臭氧發(fā)生器,臭氧濃度超過150毫克每升,模塊化結構體積小,靜音設計,觸屏操作,智能控溫,風冷,非常適合ALD設備制造商配套、納米材料合成實驗室、光伏/顯示面板中試線等行業(yè)使用。價格相對來說比較適中。

第三款是,3S-T10經(jīng)濟型科研臭氧發(fā)生器,這款臭氧化發(fā)生器的濃度可達140毫克每升、風冷、濃度可調,可連續(xù)長時間工作,非常適合科研使用,高校材料科學課題組、薄膜器件工藝開發(fā)使用,性價比高。


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